LED芯片在小間距LED顯示屏作用那么大，你了解嗎？

      作為LED顯示屏核心的LED芯片,在小間距LED顯示屏發展過程中起到了至關重要的作用。小間距LED顯示屏目前的成就和未來的發展,都依賴于芯片端的不懈努力。此外，LED顯示屏價格也與LED芯片有著莫大的關系，下面深圳LED顯示屏廠家大元智能科技就和大家一起來了解下。

　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的？

　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

　　2、LED芯片制造工序中，哪些工序對其光電性能有較重要的影響？

　　一般來說，LED外延生產完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。

　　3、LED芯片為什么要分成不同尺寸？尺寸大小對LED光電性能有哪些影響？

　　LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關，芯片小可提高單位產出并降低成本，光電性能并不會發生根本變化。芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向導通電壓會有所下降。

　　4、LED大功率芯片一般指多大面積的芯片？為什么？

　　用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。

　　5、“透明電極”芯片的結構與它的特點是什么？

　　所謂透明電極一是要能夠導電，二是要能夠透光。這種材料現在最廣泛應用在液晶生產工藝中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊使用。制作時先要在芯片表面做好歐姆電極，然后在表面覆蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊。這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個歐姆接觸電極上，同時ITO由于折射率處于空氣與外延材料折射率之間，可提高出光角度，光通量也可增加。

       最后，在這里說一下，購買LED顯示屏時一定要在注意項目方案里芯片品牌等相關信息，因這與LED顯示屏價格有很大的關系。